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深圳市和铄金属有限公司
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产品详情
我公司深圳市万德鑫兴铜合金材料有限公司供应钨铜电子封装热沉片，具有钨的低膨胀特性,同时具有铜的高导热特性,其热膨胀系数和导热导电性能可以通过调整材料的成分而加以设计.钨铜材料可以与陶瓷材料、半导体材料、金属材料等形成良好的热膨胀匹配，主要应用射频、微波、半导体大功率封装、光通信，大功率器件封装材料、热沉材料、散热元件、陶瓷以及砷化镓基座等。
钨铜材料的相对致密度**可达99 以上，采用纯度较高的粉末原料，W一15Cu材料的热导率可达200 w／(m ·K)。作为电子封装及热沉材料，对钨铜材料的质量和性能有着更高的要求，不仅要求纯度高且应组织均匀、漏气率低、导热性很好及热膨胀系数小，故须严格控制生产工艺和产品质量。
产品特色：
1. 不添加第三方金属元素活化烧结,保持高的导热性能。
2. 良好的气密性。
3.低膨胀，高导电。
4. 快速交货。
钨铜合金材料性能：
| 牌号 | Cu（%wt.) | W（%wt.） | 密度 | 导电率 | 导热系数 | 热膨胀系数 |
| WD10070 | 30±2 | Balance | 13.80g/cm3 | 42%IACS | ~240(W/mK) | ~9.7(10-6/K) |
| WD10075 | 25±2 | Balance | 14.50g/cm3 | 38%IACS | 200~230 (W/mK) | 9.0~9.5 (10-6/K) |
| WD10080 | 20±2 | Balance | 15.20g/cm3 | 34%IACS | 190~210(W/mK) | 8.0~8.5 (10-6/K) |
| WD10085 | 15±2 | Balance | 15.90g/cm3 | 30%IACS | 180~200(W/mK) | 7.0~7.5(10-6/K) |
| WD10090 | 10±2 | Balance | 16.80g/cm3 | 28%IACS | 160~180(W/mK) | 6.3~6.8(10-6/K) |
* 以上为典型值仅为参考，不作为产品验收标准。
* 以上为典型值仅为参考，不作为产品验收标准。
钨铜合金热沉应用：
• 微波载体/射频领域作散热底座
• 集成电路热沉
• 半导体激光器热沉
• 光通讯模块底座
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